“SK海力士发布首颗DDR5”

{/dede:field.body}

海力士近日公布了首款ddr5-6400内存芯片。 频率高达6400mhz，是现在大多数ddr4存储器的两倍左右，一个容量为16gb(2gb )。

高性能ddr5-6400内存

sk海力士的这个ddr5-6400内存是使用1ynm工艺制造的，也就是第二代的10nm级工艺( dram工艺目前还没有确定到一位数)，四个

这是什么概念？

sk高危之前的第一代21nm工艺8GB(1GB ) ddr4存储器芯片面积为76平方毫米，目前在相同面积上实现了两倍的容量，存储密度提高了两倍。

但是，76.22平方毫米仍然是相当大的面积，价格肯定很高。 之后也依靠工艺的进步，例如第二代21nm工艺的8gb ddr4缩小到了53.6平方毫米，足足有30%。

当然，倍增的存储密度可以有效抵消上升的价格，更何况还可以制造更小的4gb芯片。

另外，新存储器的工作电压只有1.1v，比ddr4标准的1.2v下降约8%，很多高频ddr4存储器会被加到1.35v，甚至危险的1.5v上。

为了实现6400mhz的高频、1.1v的低电压，sk高杂波安装了新的延迟锁定环dll，以减少高频下的时钟抖动、时钟占空比空比失真，并通过相位旋转器、注入频率

另外还有新的前向反馈均衡( ffe )电路和新的写均衡训练算法。

目前，三星电子、sk高铁、美光等大公司进入ddr5，但领域规范迟迟未能确定，原定于年底出炉，jedec组织未出台新时间表。

另一方面，与高端智能手机等低功耗便携设备进行比较的lpddr5已经全部解决。 海力士近日公布了首款ddr5-6400内存芯片。 频率高达6400mhz，是现在大多数ddr4存储器的两倍左右，一个容量为16gb(2gb )。

高性能ddr5-6400内存

sk海力士的这个ddr5-6400内存是使用1ynm工艺制造的，也就是第二代的10nm级工艺( dram工艺目前还没有确定到一位数)，四个

这是什么概念？

sk高危之前的第一代21nm工艺8GB(1GB ) ddr4存储器芯片面积为76平方毫米，目前在相同面积上实现了两倍的容量，存储密度提高了两倍。

但是，76.22平方毫米仍然是相当大的面积，价格肯定很高。 之后也依靠工艺的进步，例如第二代21nm工艺的8gb ddr4缩小到了53.6平方毫米，足足有30%。

当然，倍增的存储密度可以有效抵消上升的价格，更何况还可以制造更小的4gb芯片。

另外，新存储器的工作电压只有1.1v，比ddr4标准的1.2v下降约8%，很多高频ddr4存储器会被加到1.35v，甚至危险的1.5v上。

为了实现6400mhz的高频、1.1v的低电压，sk高杂波安装了新的延迟锁定环dll，以减少高频下的时钟抖动、时钟占空比空比失真，并通过相位旋转器、注入频率

另外还有新的前向反馈均衡( ffe )电路和新的写均衡训练算法。

目前，三星电子、sk高铁、美光等大公司进入ddr5，但领域规范迟迟未能确定，原定于年底出炉，jedec组织未出台新时间表。

另一方面，与高端智能手机等低功耗便携设备进行比较的lpddr5已经全部解决。

来源：雪球新闻网